13.6%复合增长率背后：谁在驱动高速EML成为400G/800G光模块标配？

在全球数据流量持续指数级增长、云计算与AI算力基础设施加速部署的背景下，高速光通信核心器件正迎来新一轮结构性扩张周期。EML（Electro-absorption Modulated Laser，电吸收调制激光器）作为高速光模块中最关键的光源芯片之一，广泛应用于 100G/400G/800G 光模块、数据中心互连（DCI）、骨干网与城域网高速传输系统，在高波特率、长距离和低色散场景中具备不可替代性。

本报告主要统计 EML 芯片（Chip level）产品。根据测算，2025 年全球 EML 市场规模达到 8.83 亿美元，预计到 2032 年将增长至 22.1 亿美元，2026–2032 年复合年增长率（CAGR）为 13.60%。这一增速显著高于传统光通信器件整体水平，反映出 EML 在下一代高速光互连体系中的核心地位正在进一步强化。

从需求端看，增长主要由三大因素驱动：

第一，AI 服务器集群和超大规模数据中心持续扩张，推动 400G 向 800G 乃至 1.6T 演进，对高性能光源需求激增；

第二，电信运营商骨干网和城域网升级，高波特率、长距离传输场景对 EML 的依赖度持续提升；

第三，硅光与高速调制方案成熟，使 EML 在高端光模块中的系统级性价比进一步凸显。

图.EML（电吸收调制激光器），全球市场总体规模（百万美元）

技术特性与产品分类

从技术原理看，EML 通过将 DFB 激光器与电吸收调制器（EAM）集成于同一芯片，实现高速调制与稳定光输出的协同优化。相比直接调制激光器（DML），EML 在 调制带宽、色散容限和信号完整性方面具备明显优势，尤其适用于 ≥25 GBaud 的高速光传输场景。

从产品结构看，市场已呈现出高度明确的速率分层。2025 年，25 GBaud 以上 EML 产品占全球市场的 87.74%，成为绝对主流，主要对应 100G 以上高速光模块及数据中心应用；而 10–25 GBaud 产品占比仅为 12.26%，主要用于部分存量电信设备及特定工业通信场景。

在技术演进路径上，EML 芯片正呈现三大趋势：

一是更高调制速率与更低啁啾（Chirp）特性，以满足 800G 及未来 1.6T 光模块需求；

二是更高良率与规模化制造能力，以支撑大规模数据中心部署；

三是与硅光平台的协同优化，提升整体系统集成度和能.............

原文转载：https://fashion.shaoqun.com/a/2745499.html

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